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HQDRCY IGBT-Transistormodul FS75R12KE3_B9 Igbt-Leistungsmodul FS75R12KE3_B9

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  • IGBT-Modul entspricht einem Stromkreisschalter, hat eine stabilisierte Steuerspannung, starke Spannungsbeständigkeit und andere Hotspots
  • Durch Hinzufügen einer positiven Gate-Spannung wird ein Kanal gebildet, der PNP-Transistoren (ursprünglich NPN) mit Basisstrom versorgt, um den IGBT leitend zu machen. Umgekehrt wird durch das Hinzufügen einer umgekehrten Gate-Spannung der Kanal eliminiert und der Basisstrom unterbrochen, wodurch der IGBT ausgeschaltet wird.
  • IGBTs werden häufig in industriellen Anwendungen (z. B. Wechselrichtersystemen und unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV)), Verbraucheranwendungen, Motorsteuerungen und mehr eingesetzt!
  • Wenn Sie Fragen haben, kontaktieren Sie uns bitte rechtzeitig. Wir sind davon überzeugt, dass Sie mit professionellem Service und spezialisierten Produkten Probleme lösen können – halbe Arbeit, doppelter Aufwand


FS75R12KE3_B9 Igbt-Leistungsmodul FS75R12KE3_B9


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